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基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法

摘要

一种微机电技术领域的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法,其电极阵列包括:固定夹具以及固定于内的若干层脑电图干电极,该脑电图干电极包括:金属电极微针及电路层以及位于其两侧的第二金属种子层和第二聚酰亚胺层,金属电极微针表面包覆惰性金属层,第一聚酰亚胺层是脑电图干电极的柔性衬底。本发明工艺简单,成品率高;电极的位置可根据应用要求改变其排列;采用金属作为电极主体,机械强度高、阻抗小,柔性衬底图形化质量高,生物相容性好;采用电极的多层组装并使用夹具固定,制成电极的立体阵列,容易固定且屏蔽佳。

著录项

  • 公开/公告号CN101973508B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201010284607.9

  • 发明设计人 陈迪;吴澄;胡锐军;陈景东;陈翔;

    申请日2010-09-17

  • 分类号

  • 代理机构上海汉声知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭国中

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81C 1/00 授权公告日:20120905 终止日期:20160917 申请日:20100917

    专利权的终止

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2011-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20100917

    实质审查的生效

  • 2011-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20100917

    实质审查的生效

  • 2011-02-16

    公开

    公开

  • 2011-02-16

    公开

    公开

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