首页> 中国专利> 一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法

一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法

摘要

本发明公开了一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法,主要包括:备料;装炉;抽真空,充氩气保护;下籽晶,进行YAG晶体等径提拉生长;升温,放入添加料,键合生长;恒温,继续生长;缓慢降温,直至完成生长。本发明相比现有技术具有以下优点:采用离子键合原理,让分子有序重新排列,生长出YAG与Nd:YAG键合晶体。不掺杂部分没有颜色,透明;掺杂键部分是暗红色,透明。没有颜色和暗红色交接部分粘接牢固,没有云层面,掺杂键合处的颗粒度很小,晶体离子键粘合力大。键合晶体干涉条纹和消光比等参数与Nd:YAG基本相同,晶体光学质量稳定、晶体质量好。适于应用于二极管泵浦的激光材料。

著录项

  • 公开/公告号CN103436952A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽环巢光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201310351259.6

  • 发明设计人 万文;万黎明;

    申请日2013-08-13

  • 分类号C30B15/04;C30B15/20;C30B28/10;C30B29/28;

  • 代理机构安徽汇朴律师事务所;

  • 代理人胡敏

  • 地址 230001 安徽省合肥市巢湖市黄麓镇临湖居委会

  • 入库时间 2024-02-19 20:56:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/04 申请公布日:20131211 申请日:20130813

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/04 申请日:20130813

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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