首页> 中国专利> 一种高陷光异质结单晶硅薄膜太阳能电池

一种高陷光异质结单晶硅薄膜太阳能电池

摘要

目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆使用溅射或反应式溅射工艺来制备ITO或是AZO透明导电膜来形成光入射面的电极,然而此两种透明导电膜皆为平整的膜面,会造成入射光的反射,进而减少了入射光的比例,影响了光电转换效率,本发明即为提供一种高陷光的透明导电膜技术,提高入射光的比例和利用,进而提升转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN103390684A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉富新能源科技(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201210137770.1

  • 发明设计人 郑佳仁;刘幼海;刘吉人;

    申请日2012-05-07

  • 分类号H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0216;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201707 上海市青浦区北青公路8228号三区8号4幢

  • 入库时间 2024-02-19 20:52:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20131113 申请日:20120507

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-11-13

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号