外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室

摘要

本发明提供了一种外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室，包括：腔壁，所述腔壁围成一腔体空间；载片盘，所述载片盘位于所述腔体空间内；第一供气装置，所述第一供气装置用于通入III族源或II族源反应气体，所述第一供气装置包括第一出气口，所述第一出气口与所述载片盘的盘面相对设置；第二供气装置，所述第二供气装置用于通入氮源反应气体，所述第二供气装置包括第二出气口，所述第二出气口设置于所述载片盘周边；排气口，所述排气口位于所述载片盘中心。所述反应腔室能够保持载片盘边缘位置和中心位置温度的均匀，进而提高通过MOCVD工艺所形成的膜层的均匀性。