集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法

摘要

本发明涉及一种集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一单晶硅基片，具有第一区域及第二区域；S2：在第一区域上生成集成电路，同时，在第二区域上形成金属导电层及介质绝缘层；S3：在第二区域上形成若干声孔，进而形成上腔体；S4：在第二区域上淀积牺牲层，牺牲层包括位于声孔的上方且覆盖在介质绝缘层上的平坦层；S5：在牺牲层和介质绝缘层上采用低温淀积工艺或者等离子体增强气相淀积工艺生成与金属导电层电性连接的多晶硅锗薄膜，进而生成声音敏感膜；S6：于硅基片的下表面上内凹形成有与上腔体连通的下腔体；S7：腐蚀牺牲层及去除介质绝缘层以形成振动空间，以使声音敏感膜变为可动结构。