一种无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管（QD-LEDs）器件。本发明是一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管器件，器件包括：电子注入层，空穴注入层，无机电子传输层，有机空穴传输层以及量子点有源发光层，所述的器件是从下往上依次为空穴注入层、有机空穴传输层、量子点有源发光层、无机电子传输层、电子注入层的结构。本发明克服了利用纯有机半导体材料作为传输层的量子点发光二极管不足，充分利用无机金属氧化物的稳定性及电学参数容易调控的特点，改进了量子点发光二极管的能效和性能，本发明的量子点电致发光器件能够实现与TFT结合，实现基于量子点的有源矩阵发光二极管平板（AMQLED）。