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一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法

摘要

本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方;利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点,采用负离焦方式进行激光熔覆,激光熔覆过程中控制负离焦量在4mm~50mm范围内;最终获得稀释率极低,且与工件良好冶金结合的激光熔覆涂层。

著录项

  • 公开/公告号CN103334104A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201310288716.1

  • 申请日2013-07-10

  • 分类号C23C24/10;B23K26/34;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2024-02-19 19:59:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C24/10 申请公布日:20131002 申请日:20130710

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C24/10 申请日:20130710

    实质审查的生效

  • 2013-10-02

    公开

    公开

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