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二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法

摘要

本发明公开了一种二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法,所述系统包括两对反亥姆霍兹线圈、石英真空腔、离子泵、带碱金属释放剂的电流馈通、真空阀、六通接头、第一玻璃窗口、第二玻璃窗口以及第一半导体激光器,所述六通接头的六个开口分别与石英真空腔、离子泵、电流馈通、真空阀、第一玻璃窗口和第二玻璃窗口连接;所述两对反亥姆霍兹线圈分别水平对称放置和竖直对称放置。所述方法使二维磁光阱系统通过冷却光获得长条型的冷原子团,再利用自发辐射四波混频,通过泵浦光和耦合光产生斯托克斯光子和反斯托克斯光子,并对光子进行收集。本发明的二维磁光阱系统制备的窄线宽单光子源线宽为兆赫兹量级,适用于远距离的量子通信。

著录项

  • 公开/公告号CN103258579A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN201310139383.6

  • 发明设计人 廖开宇;何君钰;颜辉;

    申请日2013-04-19

  • 分类号G21K1/00(20060101);H04B10/70(20130101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨晓松

  • 地址 510631 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号

  • 入库时间 2024-02-19 19:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G21K1/00 申请公布日:20130821 申请日:20130419

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G21K1/00 申请日:20130419

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

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