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用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法

摘要

本发明公开了一种用于硅基铁电电容器集成的阻挡层材料及集成方法,以Ni-Nb做导电阻挡层材料,在硅衬底上生长非晶Ni-Nb薄膜,进而在所述非晶Ni-Nb薄膜上原位生长氧化物电极薄膜材料,在此基础上进一步完成铁电电容器的集成。采用本发明方法所制备的硅基铁电电容器,其非晶Ni-Nb薄膜导电阻挡层的组织致密,与硅衬底的粘附性好,具有良好的热稳定性和化学稳定性,特别是在经历高温退火处理后仍能保持良好的抗氧化能力和高的电导率,在Ni-Nb薄膜与硅衬底和氧化物电极薄膜之间的界面处均无氧化或化学反应现象发生,Ni-Nb薄膜表现出优异的阻挡性能,在大规模集成电路中有很大的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN103219225A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北大学;

    申请/专利号CN201310113877.7

  • 申请日2013-03-29

  • 分类号H01L21/02;H01L21/8247;

  • 代理机构石家庄国域专利商标事务所有限公司;

  • 代理人白海静

  • 地址 071002 河北省保定市五四东路180号

  • 入库时间 2024-02-19 19:46:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20130724 申请日:20130329

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130329

    实质审查的生效

  • 2013-07-24

    公开

    公开

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