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法律上安全的可纪录信息存储媒体

摘要

本发明涉及一种可记录的信息存储媒体,其由具有两个主要面的平坦聚碳酸酯磁盘和覆盖一个所述主要面并且可在上面记录信息的光敏膜组成。根据本发明,所述膜为多层的,其中至少两个元素叠加层分别含有一种元素A和一种元素B,所述层之一含有选自第IIIa族的元素,而另一层含有选自第Va或VIa族的元素;或一个层含有来自第IIa或IIb族的元素,而另一层含有来自第VI族的元素。每一层的厚度几乎相同并且所述光敏膜的总厚度至少等于35nm。本发明还涉及一种在所述媒体上安全并持久地记录信息的刻录方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103229239A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吕西安·圣地亚哥·路德;

    申请/专利号CN201180047523.6

  • 发明设计人 吕西安·圣地亚哥·路德;

    申请日2011-09-28

  • 分类号G11B7/2433(20130101);

  • 代理机构11270 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人武晨燕;张颖玲

  • 地址 法国拉巴斯唐-德比戈尔

  • 入库时间 2024-02-19 19:37:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    授权

    授权

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B7/2433 申请日:20110928

    实质审查的生效

  • 2013-07-31

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明大致涉及一种可记录信息存储媒体(例如CD-R媒体),例如光盘,其不会受腐蚀、具有高安全性登记并且在法律上是安全的。

背景技术

通常,CD-R媒体由平坦聚碳酸酯磁盘组成,所述磁盘在其一个主要面上涂有光敏膜。通过用例如由10mW激光二极管(称为写入二极管)发射的光束照射所述膜,来产生所述膜的局部转变。这些转变可能会诱发膜物理性质发生可测量的变化,尤其是其光学反射率。所述后一变化尤其用于将信息并于CD-R上并随后读取信息。

信息本身以数字形式以一系列编码的亚微米大小的环形区或环形点刻于膜上,通过激光照射进行处理和加工,通常这些点沿椭圆形螺旋轨道分布,所述轨道是使用现有技术中已知的标准扫描系统绘制于磁盘上。

为了可使用,CD-R应具有以下两个基本特征:

a)原始膜对由写入激光二极管发射的光的敏感度,由此促进膜的光学可检测变化,由此形成通过激光处理产生的点。所述膜变化可以通过多种方法产生:熔化、漂白、蒸发、形成粗糙度、烧蚀、非晶形膜结晶或改变膜的化学性质,例如在合成化合物时;

b)膜相对于例如温度、可见光、湿度、磁场或机械干扰(使用工具或在处理时)等环境条件的形态稳定性,所述稳定性与点和未由激光处理的膜表面有关。

刻点并由此记录信息后,信息必须通过光学构件读取。为此,沿椭圆形轨道扫描由二极管(称为读取二极管)或LED(即发光装置)发射的光,并且同时检测和记录由膜反射的光。由读取二极管发射的光束是连续的并且是单色光。其在范围为500到750nm的波长λR下,即在包含在2.4eV与1.65eV之间的光子能量下起作用。读取二极管的光束强度比写入二极管低得多,通常为约1mW。膜的任何局部形态变化必定产生膜反射率的局部变化。这种变化可使用读取二极管测量和检测。如果这种变化可以进行评估,那么记录由膜反射的光允许在解码数字化信息后读取信息。

通常,将膜的激光处理点与原始区之间的读取对比度C定义为:

C=(Rv-Rs)/(Rs+Rv),

其中:

-RV表示原始膜的反射率值(在λR下测量)并且

-RS表示点的反射率值(在λR下量测)。

这一对比度C的量值对于评估CD-R记录信息的能力很重要。

然而,与仅这一对比度的范围相比,所记录信息的长期保存更加成问题,其后果很严重。

实际上,容易通过吸收少量光能而经历转变的任何材料也可能对环境条件(例如温度)的微小变化敏感。

换句话说,光敏度和形态稳定性在相反方向上起作用:低能量的写入不易产生长期稳定性。

当前CD-R具有对光高度敏感的膜。所述膜一般由有机物质(化学物质、聚合物)的混合物组成。在所述膜上记录信息容易通过使膜局部转变,例如通过改变其颜色(和其反射率)或通过在吸收光时烧蚀膜并吸收所产生的热来实现。由此获得的光学对比度C通常为约0.30并且现代的CD-R光雕刻机(所谓刻录机)实际上设定为读取所述对比度。

尽管这种光敏度具有允许易于记录信息的优点,但一旦媒体暴露于环境光片刻,则其会导致当前CD-R的易碎性,尤其怕热。

因为以不可预测的方式对环境敏感,所以这些媒体并不视为长期安全的。这对于必须在绝对安全性条件下存储的重要信息,尤其是医学、法律或军事资料尤为关键。

这种情形的主要后果是记录于当前CD-R上不享有法律合法性。

另一后果是对于相同信息需要以较短时间间隔重新记录,但无法确保其安全性。

因此,需要高度可靠性CD-R,在所述CD-R上所记录的信息将长时间(例如超过二十年)保持对环境条件完全不敏感,以使得所述记录可视为永久的。

发明内容

本发明旨在通过提供确保将安全并且永久的信息记录于CD-R上的方法来解决这些问题和缺点。

更特定来说,本发明的目标是一种可记录信息存储媒体,其包含:

-具有两个主要面的平坦聚碳酸酯磁盘,和

-光敏膜,其覆盖在所述磁盘的所述主要面之一上,在所述面上可记录信息。

根据本发明,所述膜由包含至少两个叠加元素层的多层堆叠组成,所述层分别由元素A和元素B构成,所述层分布如下:

o所述层之一由选自第IIIa族的元素构成,而另一层由选自第Va或VIa族的元素制成,或

o所述层之一由选自第IIa或IIb族的元素构成,并且另一层由选自第VI族的元素制成,

每一层的厚度实质上相同并且光敏膜的总厚度至少等于35nm,并且优选为至少40nm。

根据本发明,敏感膜因此基本上由两个特征定义:

-一方面,化合物AB(例如碲化铝为AlTe),其合成可有利地通过激光照射诱发(经由激光诱发的合成定义所谓的写入方法,这是在本发明的框架中实际上操作的方法),和

-另一方面,膜的厚度,和因此叠加形成膜的材料A和B的个别厚度。

化合物AB是共价的。与金属合金相反,所述共价化合物通过强原子间键缔合分别属于元素周期表以下各栏的元素:

-IIa(例如Cd和Zn)和VIa(例如Se和Te)

-IIIa(例如Al和In)和Va(例如As和Sb)

-IIIa和VIa。

化合物AB的选择使得在读取刻录于膜上的信息时提供相对于原始膜的最高光学对比度C。

在经由激光诱发的合成写入的方法的有利实施例中,当上层元素层含有Al时,选择化合物AlTe(碲化铝)。

更特定来说,关于敏感膜的厚度并对于低于35nm的任何厚度,膜通常是半透明的,即使在任何激光照射之前,并且不考虑膜中存在的元素的选择,由此降低读取对比度,无论膜中将合成的实际化合物如何。

另一方面,膜厚度越大,用于合成这种膜中的化合物的写入激光束的强度越大,强度实质上与膜中所含物质的体积(即其厚度)成正比。

因此,必须进行折衷以使膜厚度的选择相对于常用于刻录CD-R的写入激光束的强度最佳化,同时保持由元素A和B的选择定义的光学对比度。

最后,以约2nm到5nm的精确度定义膜的厚度。这一精确度影响含有一种元素并且造成敏感膜的总厚度的每一元素层。元素层的厚度越小,获得含有A和B的元素层的厚度比率的不确定性越大,所述比率将为对应于所选化合物的化学计量组成的精确比例。

因而,在使用激光诱发的化合物合成的所述写入方法的最有利形式中,膜的最佳厚度为40nm,膜由具有相同厚度20nm的两个叠加层构成,并且每一层含有一种单一元素:下层(直接沉积于聚碳酸酯磁盘上)中为Te和上层中为Al。

然而,根据本发明的媒体的敏感膜可能具有约35nm的厚度,由具有相同厚度约18nm的两个层构成,每一层含有单一元素(即Te或Al)。

在根据本发明的可记录信息媒体的其它可能配置中,敏感膜可由两个叠加元素层(每一层含有Te或Al)构成,所述层具有至多25nm(总敏感膜厚度为50nm)或30nm(这种膜的总厚度为60nm)的相同厚度。

在敏感膜的所有这些配置中,直接与衬底接触的元素层始终由Te构成并且叠加于其上的上层始终由Al组成。

根据本发明的第一尤其有利实施例,多层膜由两个元素层叠加构成,每一层的厚度介于18nm与30nm之间,并且优选为约20nm。膜对于环境光是不透的。

优选地,其为由两个层组成的多层膜,所述层从平坦聚碳酸酯磁盘起依次分布如下:

-碲或锑下层,其覆盖所述平坦磁盘,和

-铝上层,其完全覆盖所述下层。

根据本发明的第二尤其有利实施例,多层膜由四个元素层组成,每一层的厚度为约10nm。

优选地,其为由四个层组成的膜,所述层从平坦聚碳酸酯磁盘起分布如下:

-碲下层,其覆盖所述平坦磁盘,

-铝第一中间层,其完全覆盖所述碲下层,

-碲第二中间层,其完全覆盖所述铝第一中间层,和

-铝上层,其完全覆盖所述碲第二中间层。

优选地,在不考虑所设计敏感膜的配置的情况下,多层膜的外层是铝层,其提供对由标准读取二极管发射的可见光的高反射率。此外,一旦制造这一层并随后暴露于空气,则在其表面上产生极薄(约2nm厚)的氧化层。因为很致密,所以这一氧化层保护膜免于受到中度机械损坏和偶尔的环境污染。

CD-R上可使用其它含铝化合物,例如组合以下元素对的化合物:Al/Sb、Al/Se和Al/As。

仅化合物AlTe和Al2Te3具有始于红外(λR<1200nm,因此光子能量>1.2eV)的光学吸收,由此使得接近最高光学对比度C。

本发明还涉及一种在光敏膜上安全并持久地记录信息的方法,其特征在于其包含:

a)提供根据权利要求1到5中任一权利要求所述的具备多层光敏膜的衬底,和

b)通过激光照射合成由元素A和B构成的化合物AnBm,所述元素以化学计量比例含于所述敏感膜的元素层中,所述由此形成的化合物An Bm呈光学对比度C至少等于0.5并且优选至少等于0.8的环形点形式。

根据本发明的方法在以上步骤b)中使用属于本发明申请者的欧洲专利EP0045551和EP0048514中所描述的激光照射合成方法。这后一种方法的独特之处在于其来源于在入射光光子与由激光束照射的膜中的价电子相互作用期间光能的瞬时吸收。尽管在这一相互作用期间形成声子并且因此产生所述热,但所述方法并非通过考虑热力学平衡来驱动。这一方法实际上是不基于原子扩散典型定律的非平衡方法。实际上,没有常规热源可以模拟任何激光源的强度的突然升高(<10-4s),例如通过吸收由激光二极管发射的光所产生的情况(10-6s)。

在本发明中,沉积于聚碳酸酯磁盘上的光敏膜是通过分别含有原子A和B的两个元素层的堆叠来形成。这些元素层的原子含量和其各自的厚度使得原子A和B的比率对应于将使用所述原子A和B形成的特定化合物的化学计量组成,例如对于化合物A2B3为比例2/3。

通过用激光束照射双层堆叠,可使一个或两个层在照射期间极快地熔化,由此促进原子A和/或B快速(称为弹道)迁移穿过两个层的界面。最初属于一个或两个熔化层的原子在可出现任何原子间反应(例如形成共价键)之前混合。视原子A和B的选择(即其类型和其比例)而定,这种原子间迁移会产生均质金属合金或由此合成的化合物。

除高光学对比度和最佳形态稳定性外,激光诱发的化合物合成还提供特殊优点。实际上,称为化合物的材料的特征为强(共价或离子)原子间键。

关于其光学性质,且对于每一种化合物材料来说,这一类型的结合在作为所述化合物特征的特定光子能量下导致光学吸收阈值。这一能量EG确定化合物的吸收阈值。其为允许这种化合物吸收光子所需的最小光子能量。

因此,这些化合物可能对于由读取二极管发射的单色光是半透明或者可能是不透明的。

关于可通过激光照射合成的化合物AnBm,可提及锑化铝(AlSb,EG=1.60eV)、碲化镉(CdTe,EG=1.49eV)、硒化镉(CdSe,EG=1.73eV)。

视读取二极管的工作波长的选择而定,特定化合物AnBm的激光诱发合成会导致金属的高反射率(如在激光照射之前敏感膜的原始上层铝层的高反射率)与由合成的化合物材料制成的照射点的反射率之间的极高光学对比度C。

为了获得最高对比度C,感兴趣的是致力于可完全吸收由读取二极管发射的光的化合物,即对i)原子元素的类型和ii)其比例的最适当选择,以实现合成这一目标。

实现最高对比度C具有特定优点:

i)沿椭圆形轨道分布的转变点的大小可以减小,和

ii)点的检测可以更快。

换句话说,在12.5cm直径的标准CD-R媒体上,所记录信息的量可以更大并且其读取可以更快地进行。

上文所描述的敏感膜的形态稳定性和完整性必须在将信息整合于磁盘上之前和之后确立。这一稳定性可以两种方式受到干扰:

i)外来物质(例如水)沿膜与聚碳酸酯衬底表面之间的界面迁移,和

ii)元素材料穿过形成敏感膜的两个层之间的界面过早混合(在低温或室温下)。

此外,除高对比度写入外,特定化合物AnBm的激光诱发合成方法还可以用于相对于环境安全地密封原始膜,并且例如防止水沿膜与衬底之间的界面迁移。

实际上,化合物合成是一个放热过程。一旦通过吸收激光引发熔化,则化合物合成单独地通过整个体积的敏感膜发生,所述敏感膜则由原子A和B的均质混合物组成,这一合成同时产生热,而热从膜中扩散出去。通过使聚碳酸酯的表面变软,所述热有助于使合成化合物坚固地粘着于载体上,到达通过剥离无法将由此加工的膜从所述载体除去的程度。

根据本发明,通过沿两个轨迹扫描写入激光二极管的光束来完全密封衬底上的原始膜,所述衬底在其中心具有适合于将所述衬底安装于读取器中的孔,所述轨迹由通过激光照射合成的化合物材料组成并且所述轨迹的宽度等于或大于1μm,所述轨迹分布如下:

-位于膜表面的外缘上的第一轨迹(在圆形CD-R的情况下直径为约12cm),和

-位于同一膜的内边界上的第二轨迹(在圆形CD-R的情况下直径为约4cm),

所述轨迹布置于与所述边缘相距1mm与2mm之间处。

在CD-R的任何使用之前建立密封。

热力学类型的任何原子扩散必定很缓慢。这是在低温下(例如在环境温度下)穿过敏感膜的两个层之间的界面形成的原子扩散情况。在所述缓慢扩散期间,共价键具有形成的时间,从而诱发形成极薄(屏障)的化合物,其阻挡任何进一步的缓慢原子迁移。因此,未经激光处理的膜表面保持原始状态,这种情形可仅通过激光照射而急速地改变并且随后将产生快速的原子迁移。

另一方面,由此合成的化合物是均质的并且极稳定。其可能不再分解并且恢复到两个个别层的初始金属堆叠。换句话说,这种以一系列编码的点形式写入信息的方式是一个不可逆过程。

在将信息写于CD-R上之前和之后确保膜的完整性。具体来说,长时间保持可用于将信息并于任何原始CD-R上。

特定化合物AnBm的原子元素A和B在元素周期表上分布于第四栏的两侧:

-由第III和V或VI族元素组成的化合物(例如AlSb或AlTe),和

-由第II和VI族元素组成的化合物(例如CdTe)。

在可以激光合成的化合物AnBm中,碲化铝(Al2Te3和AlTe)具有特定优点,不过这些优点尚未进行研究,甚至尚未进行鉴别:

-两种碲化铝在红外中在1.0eV下具有光学吸收阈值,即这些化合物确实完全吸收可见光并且是黑色的;

-因为敏感膜的外层由铝制成,铝为在可见光中具有高反射率的金属,所以记录于膜上的信息具有极高光学对比度C:

C=(0.85-0.10)/(0.85+0.10)=0.79

以用于在可见光中工作的任何读取系统。这一C值比使用现代CD-R所表现(通常为约0.20到0.30)高得多;

-这些化合物并有铝(Al),即一种广泛用于CD媒体工业中的标准组分。

最后,本发明还涉及一种无限期地保护根据本发明建构的可记录信息存储媒体的敏感膜的物理完整性的方法,所述媒体最终呈圆形并且在其中心具有将适于将所述媒体安装于读取驱动器中的孔。

所述方法的特征在于其包含通过刻录如通过激光照射所获得的合成化合物的两个连续轨迹来密封膜在其衬底上的可使用部分的步骤,所述轨迹的宽度优选大于或等于1μm,这一密封步骤在任何使用之前进行,所述膜由此为原始的,所述轨迹如下设定于膜的可使用部分的边界之间:

-位于膜的工作部分的外缘上的第一轨迹,和

-位于膜的同一工作部分的内边界上的第二轨迹,在圆形衬底的情况下所述轨迹优选布置于衬底的中心孔周围。

-所述轨迹有利地布置于与所述边缘相距1mm到2mm处。

支撑敏感膜的衬底可具有任何几何形状,例如圆形、方形或矩形,所述几何形状分布于平坦或弯曲表面上,膜的可使用部分是通过雕刻于膜的可使用部分周边上的一个或一个以上轨迹来描绘和保护。

具体实施方式

如以下实例中所示,这种无限保护敏感膜的物理完整性的方法允许制造可在上面以完全安全并且在法律上安全的方式刻录信息的任何CD-R信息存储媒体并使其商业化,其使用期限将超过(但不会限于)25年。

实例

实例1

使锑(Sb)层沉积于玻璃板上,随后用铝(Al)层覆盖,所述Al层本身由Sb层以及最后另一Al层覆盖。

所有这些层各自具有相同厚度(20nm)并且形成对光敏感的膜。

在0.5mm直径的表面上由在500nm波长、20mW功率下工作的连续波(CW)氩激光束来照射形成膜的这些层的堆叠并保持10秒。

照射后,照射表面为半透明的并且呈橙色,这说明Al/Sb堆叠转变为AlSb化合物。

实例2

使Sb层沉积于玻璃板上,并且进一步用Al层覆盖,两个层各自厚度为20nm,所述层的堆叠形成光敏膜。

膜的反射率在可见光中较高并且对应于Al外层之一。通过用单色激光二极管(10mW功率)光束照射这种膜10-5s,在照射区域中证明形成AlSb化合物,由此打开金属膜的光学窗。这种窗的读取光学对比度C等于0.43。

实例3

使40nm厚的镉(Cd)层沉积于聚碳酸酯衬底上。

随后用厚度也为40nm的碲(Te)层覆盖这一层。

借助于CW激光束照射形成光敏膜的两个层的总体堆叠可诱发合成CdTe化合物,所述化合物吸收620nm以下的光。

膜的未照射区域与那些已照射区域之间的光学对比度C等于0.33,从而证明所选元素的选择对于形成敏感层的重要性。在环境下维持25年时间,所述膜保持不变的对比度C,即0.33。

实例4

使碲(Te)层沉积于聚碳酸酯衬底上,并随后由Al层覆盖这一Te层。

两个层具有20nm的相同厚度并且其堆叠形成对光敏感的膜。

对由此形成的膜进行激光照射并保持10-6s,其中光束由在近红外(690nm)中以10mW功率发射的激光二极管发射。

照射后,照射区域完全呈黑色,其中光学对比度C等于0.80。

实例5

使20nm厚度的碲(Te)层沉积于聚碳酸酯衬底上。随后依次用厚度15nm的Al层、20nm厚的Te层和最后形成堆叠的上层的15nm厚的Al层覆盖这一Te层。

这些层的堆叠形成光敏膜,随后用与实例4中所用相同的激光束照射。照射区域随后呈现灰色,其中光学对比度C等于0.54,即低于其中Al和Te层具有相同厚度的实例4中所获得的对比度。

实例6

如实例4中由两个层组成的膜在室温(24℃)下维持8年。随后重新评估对比度C,C=0.80。

实例7

将与实例4中所制造的膜相同的膜加热到50℃并保持48小时,并且随后重新评估对比度C为0.80,从照射以来无任何变化。

实例8

膜与聚碳酸酯衬底之间的界面对于水随时间的迁移无法做到安全地密封。当这种情况产生时,通常观察到膜的老化,其特征为膜的脱离、光学对比度C的改变和降低。

进行一项实验,这项实验是以使得写入已加工材料的连续环或不完整(即不连续)环的方式用以连续波(CW)起作用的激光束对根据所述方法制造的膜的移动进行编程。

在第一种情况下,由环描绘膜的隔离区域,所述区域完全与膜中位于环外的其余部分分隔。

在第二种情况下,环不连续并且膜中位于不连续环内的区域保持与膜中位于环外的其余部分接触。

周期性地描绘膜中位于连续或不连续环内或外的非照射部分的形态的发展。极快地,即在完成这两种类型的写入后五周,观察结果显示:

a)膜中完全含于连续环中的部分未随时间改变并且相对于已通过激光转变并由环本身体现的区域维持相同的高对比度。

b)膜中含于不连续环中的区域具有与膜中位于环外的区域相同的外观,这两个区域相对于环本身具有低很多的对比度。

实例9

沿2cm直径和1mm轨迹宽度的连续环形轨迹(即环),由在红外(690nm)中以连续波(CW)起作用的激光束照射与实例3中所产生的膜相同的膜(即镉和碲的两个重叠层),这种轨道体现经加工CdTe材料环。

在膜中完全含于所述环中的区域中,通过在垂直于激光束轴的平面内移动膜以0.1mm的规律间隔表现一系列经加工CdTe材料点,通过在极短时间(10-6s)内起作用的激光二极管进行照射。通过集中激光束将每一点限于直径0.1mm的环形区域内。随后在25年时间内周期性地监测这一高对比度(C=0.33)写入以评估其对比度的可持续性。

评估25年后,发现完全维持这一对比度,并且经转变材料的点始终以其0.1mm的标称直径和0.1mm间隔而界限分明。这一结果能实现是由于由包围写入区域的经加工材料环所施加的保护。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种可记录信息媒体,其包含具有两个主要面的平坦聚碳酸酯磁盘,和覆盖在所述主要面之一上并且可在上面记录信息的光敏膜,

其中所述膜为包含至少两个元素叠加层的多层膜,所述层分别由元素A和元素B构成,所述层分布如下:

所述层之一由选自第Illa族的元素构成,而另一层由选自第Va或VIa族的元素制成,或

所述层之一由选自第IIa或IIb族的元素构成,并且另一层由选自第VI族的元素制成,

每一层的厚度是相同的并且所述光敏膜的总厚度至少等于35nm。

2.根据权利要求1所述的可记录信息存储媒体,其中所述多层膜由两个元素层的叠加构成,每一层的厚度介于18nm与30nm之间。

3.根据权利要求1或2所述的可记录信息存储媒体,其中所述多层膜包含两个层,每一层的厚度为约20nm,所述层从所述平坦聚碳酸酯磁盘起分布如下:

碲或锑下层,其覆盖所述平坦磁盘,和

铝上层,其完全覆盖所述下层。

4.根据权利要求1所述的可记录信息存储媒体,其中所述多层膜由四个元素层组成,每一层的厚度为约10nm。

5.根据权利要求4所述的可记录信息存储媒体,其中所述多层膜由四个层组成,所述层从所述平坦聚碳酸酯磁盘起分布如下:

碲下层,其覆盖所述平坦磁盘,

铝第一中间层,其完全覆盖所述碲下层,

碲第二中间层,其完全覆盖所述铝第一中间层,和

铝上层,其完全覆盖所述碲第二中间层。

6.一种在光敏膜上安全并持久地记录信息的方法,其中所述方法包含:

a)加工根据权利要求1到5中任一权利要求所述的具有光敏多层膜的媒体,其中所述膜,和

b)通过激光照射合成由元素A和B制成的共价化合物AnBm,所述元素以化学计量比例含于所述光敏膜的元素层中,所述化合物AnBm形成环形点,所述点的光学对比度C至少等于0.5,并且优选至少等于0.8。

7.一种密封媒体的敏感膜的方法,所述媒体是根据权利要求1到5中任一权利要求所述而制得并且在其中心具有适合于将所述媒体安装于读取驱动器中的孔,

所述方法包含制造两个由通过激光照射合成的化合物制成的轨迹并且所述轨迹的宽度等于或大于1μm,所述轨迹分布如下:

位于所述膜表面的外缘上的第一轨迹,和

位于所述膜的内边界上的第二轨迹,

所述轨迹在与所述边缘相距1mm到2mm处运作。

8.一种无限期地保护根据权利要求1到5中任一权利要求所述的可记录信息媒体的敏感膜的物理完整性的方法,所述媒体尤其为圆形并且在其中心具有适合于将所述媒体安装于读取驱动器中的孔,

所述方法的特征在于其包含密封所述媒体上的所述膜的可使用部分,所述密封是通过刻录激光合成的化合物的两个连续轨迹来进行,所述轨迹的宽度优选大于或等于1μm,这种密封在任何使用之前进行,因此所述膜仍为原始的,所述轨迹设定所述膜的所述可使用部分的边界并且分布如下:

沿所述膜的所述可使用部分的外缘的第一轨迹,和

沿所述膜的所述可使用部分的内边界的第二轨迹,所述轨迹在与所述边缘相距1mm到2mm处运作。

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