法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20130710 申请日:20130417
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-11-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20130417
实质审查的生效
2013-07-10
公开
公开
机译: 采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个刻蚀停止层以精确形成接触的半导体器件的制造方法
机译: 采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个刻蚀停止层以精确形成接触的半导体器件的制造方法
机译: 半导体器件采用至少一种调制掺杂的量子阱结构和一个或多个蚀刻停止层以精确形成接触