具有半导体芯片、承载衬底和膜的光电子半导体器件和用于制造所述光电子半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件（100），所述半导体器件具有发射辐射的半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3）。承载衬底（2）在上侧（20）上具有能导电的接触带（21a，21b）。膜（3）设置在芯片（1）的背离承载衬底（2）的辐射出射侧（10）上和承载衬底（2）的上侧（20）上并且具有能导电的第一带状导线（31a）。此外，膜（3）具有穿口（32a，32b），所述穿口设置成，使得半导体芯片（1）能够经由膜（3）的第一带状导线（31a）与承载衬底（2）的第一接触带（21a）电接触。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。