公开/公告号CN103107097A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡华润上华科技有限公司;
申请/专利号CN201110358724.X
申请日2011-11-11
分类号H01L21/48(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人何平
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
入库时间 2024-02-19 18:43:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-13
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/48 登记生效日:20180625 变更前: 变更后: 申请日:20111111
专利申请权、专利权的转移
2016-03-09
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20111111
实质审查的生效
2013-05-15
公开
公开
【技术领域】
本发明涉及多项目晶圆制造,尤其是涉及一种多项目晶圆的芯片制造方法 及多项目晶圆的外层金属掩膜板。
【背景技术】
在多项目晶圆制程中,每个晶圆包括多种不同芯片,多项目晶圆是不同制 程的产品为节省开发成本共用一套掩膜板的晶圆。
多项目晶圆由于具有多种不同的芯片信息,最外层金属常常被设计成不同 的厚度并采用不同的掩膜板形成电路图形。基于此,在随后的形成PAD(焊盘) 的过程中,接触孔要对准由不同掩膜板生成的最外层金属图形就必须采用不同 的PAD掩膜板,否则使用单一的PAD掩膜板(为节省成本,该单一的PAD掩 膜板本身是用于单项目晶圆)很有可能会使接触孔形成于其他芯片区域,且延 伸至没有金属层的位置,那么与该接触孔对应的位置会在形成接触孔的过程中 产生缺陷。
【发明内容】
基于此,有必要提供一种可使用单一PAD掩膜板的多项目晶圆的芯片制造 方法。
一种多项目晶圆的芯片制造方法,包括以下步骤:在与目标芯片的最外层 金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形,所述阻挡金属图形对应于与目标芯片 同属一个街区的制程外芯片;利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目 晶圆上的最外层金属进行图形化处理;在进行图形化处理后的最外层金属上淀 积绝缘介质层以及钝化层;利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板,对所述绝 缘介质层及钝化层进行图形化处理,形成PAD。
优选地,所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。
优选地,所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的 多个金属块。
此外,还提供一种可与单一PAD掩膜板配合的多项目晶圆的外层金属掩膜 板。
一种多项目晶圆的外层金属掩膜板,与多项目晶圆上的最外层金属对应, 其上设有与目标芯片对应的目标图形,其特征在于,还设有对应于与目标芯片 同属一个街区的制程外芯片的阻挡金属图形。
优选地,所述阻挡金属图形用于形成整块的阻挡金属层。
优选地,所述阻挡金属图形用于形成与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的 多个金属块。
上述多项目晶圆的芯片制造方法和多项目晶圆的最外层金属掩膜板,由于 PAD层掩膜板与目标芯片的最外层金属的掩膜板对应,因此会在目标芯片上形 成正确的PAD区域。而制程外芯片表面的绝缘介质层和钝化层被图形化后,形 成的接触孔会在阻挡金属层之上。因此在形成接触孔的过程中,由于阻挡金属 层的存在,刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片上造成缺陷。因此,即使使用 单一的PAD掩膜板也不会有问题。
【附图说明】
图1为一实施例的多项目晶圆的芯片制造方法流程图;
图2为多项目晶圆示意图;
图3为街区的局部放大示意图;
图4为图3中的街区上形成PAD接触孔后的示意图。
【具体实施方式】
如图1所示,为一实施例的多项目晶圆的芯片制造方法流程图。该方法包 括如下步骤:
S110:在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上增设阻挡金属图形,所 述阻挡金属图形对应于与目标芯片同属一个街区的制程外芯片。如图2所示, 为多项目晶圆示意图。多项目晶圆的一个街区10上包括多芯片信息。如图3所 示,是街区10的局部放大图,该街区10包括目标芯片102和与目标芯片102 相邻的制程外芯片104。目标芯片102是指本次制程中计划得到的芯片,形成于 晶圆上的目标区域。与该目标区域对应有用于图形化的各层掩膜板。与目标芯 片的最外层金属对应的掩膜板可在最外层金属上形成电路图形。制程外芯片104 是指在多项目晶圆中,本次制程中未进行相关的工艺操作的芯片,制程外芯片 与目标芯片分属于不同的项目。
在与目标芯片102的最外层金属对应的掩膜板上,设有目标图形,用于将 最外层金属图形化。除此之外,该掩膜板上还设有阻挡金属图形,该阻挡金属 图形对应于制程外芯片104,用于在制程外芯片104上形成阻挡金属层。该阻挡 金属图形优选用于形成整块的阻挡金属层。
S120:利用所述增设了阻挡金属图形的掩膜板对多项目晶圆上的最外层金 属进行图形化处理。该图形化处理一方面使目标芯片102上形成所需的电路连 线图形202,另一方面在制程外芯片104上形成了阻挡金属层204。阻挡金属层 204可以是整块的金属层,也可以是与PAD层掩膜板形成的接触孔对应的多个 金属块,只需将接触孔挡住即可。
S130:在进行图形化处理后的最外层金属上淀积绝缘介质层以及钝化层。 本步骤是在金属化后的常规步骤,在此不赘述。
S140:利用对应于所述掩膜板的PAD层掩膜板,对所述绝缘介质层及钝化 层进行图形化处理,形成PAD。图形化处理后,在绝缘介质层和钝化层上形成 接触孔,露出部分最外层金属,形成PAD。如图4所示,电路连线图形202上 被接触孔302露出的部分形成PAD。阻挡金属层204被接触孔304露出的部分 会阻挡外部的破坏。
由于该PAD层掩膜板与目标芯片102的最外层金属的掩膜板对应,因此会 在目标芯片102上形成正确的PAD区域。而制程外芯片104表面的绝缘介质层 和钝化层被图形化后,形成的接触孔会在阻挡金属层之上。因此在形成接触孔 的过程中,由于阻挡金属层的存在,刻蚀、清洗等步骤不会在制程外芯片104 上造成缺陷。
此外,还提供一种多项目晶圆的最外层金属掩膜板。该掩膜板与多项目晶 圆上的最外层金属对应,其上设有与目标芯片对应的目标图形,还设有对应于 与目标芯片相邻的制程外芯片的阻挡金属图形。
目标芯片是指本次制程中计划得到的芯片,形成于晶圆上的目标区域。与 该目标区域对应有用于图形化的各层掩膜板。与目标芯片的最外层金属对应的 掩膜板可在最外层金属上形成电路图形。制程外芯片是指在多项目晶圆中,本 次制程中未进行相关的工艺操作的芯片,制程外芯片与目标芯片分属于不同的 项目。
在与目标芯片的最外层金属对应的掩膜板上,设有目标图形,用于将最外 层金属图形化。除此之外,该掩膜板上还设有阻挡金属图形,该阻挡金属图形 对应于制程外芯片,用于在制程外芯片上形成阻挡金属层。该阻挡金属图形优 选用于形成整块的阻挡金属层。
上述的最外层金属的掩膜板可在制程外芯片上形成阻挡金属层,因此可以 避免使用单一的PAD层掩膜板对制程外芯片的破坏。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细, 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域 的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和 改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附 权利要求为准。
机译: 电子和光学行业的半导体芯片制造方法,包括在晶圆锯切步骤中将晶圆码垛,在晶圆装配步骤中将粒化的晶圆和锯切框架粘合在一起,其中步骤在同一表上执行
机译: 半导体晶圆加工研磨,一种电子元件的组装方法,包括处理晶圆,直到晶圆比转子板薄,厚度比层厚为止,并在晶圆上排上凹口以保护晶圆
机译: 掩膜的方法-晶圆以及晶圆-晶圆