公开/公告号CN103090577A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201310039598.0
申请日2013-01-31
分类号F25B9/14;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2024-02-19 18:38:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-23
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):F25B9/14 申请公布日:20130508 申请日:20130131
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):F25B9/14 申请日:20130131
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 利用金属辅助化学刻蚀法制造垂直型纳米结构的方法,制造该方法的垂直硅纳米结构以及包括垂直型硅纳米结构的装置
机译: 垂直磁化膜的前驱体结构,垂直磁化膜结构及其制造方法,使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合膜及其制造方法,以及使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合元件。
机译: 垂直磁化膜的先驱结构,垂直磁化膜结构和制造相同方法的方法,垂直磁化型隧道磁阻薄膜使用这种方法和制造方法,利用这种方法的连续性