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一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构

摘要

本发明提供一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。本发明提供的适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体,由于下部腔体和下电极为同样材料的一体化构件,能够解决热膨胀导致的密封问题,并且可以使得设备的结构简单,制造方便,降低成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103184428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京普纳森电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201210050915.4

  • 发明设计人 季安;赖守亮;

    申请日2012-02-29

  • 分类号C23C16/44;

  • 代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈英

  • 地址 100089 北京市海淀区北洼路30号1号写字楼001室

  • 入库时间 2024-02-19 18:28:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/44 申请公布日:20130703 申请日:20120229

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/44 申请日:20120229

    实质审查的生效

  • 2013-07-03

    公开

    公开

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