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一种包括半导体层的可记录光存储介质及其制造方法

摘要

一种可记录光存储介质,包括基片层(2)、数据层和用于所述数据层的第一和第二保护层(6,7),其中所述数据层包括半导体层(3,4)和以掺杂材料掺杂所述半导体层(3,4)的掺杂层(5)。所述半导体层是具有低反射率的本征半导体层或本质上的本征半导体层,并且对所述掺杂层的掺杂材料进行选择,从而在读取具有扩散至半导体层的掺杂层的掺杂材料的记录的数据层的过程中,使半导体层的反射率增加。

著录项

  • 公开/公告号CN101903949B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 汤姆逊许可公司;

    申请/专利号CN200880121424.6

  • 申请日2008-12-09

  • 分类号G11B7/0045(20060101);G11B7/24(20060101);G11B7/243(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人吕晓章

  • 地址 法国布洛涅-比扬古市

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-26

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 7/0045 授权公告日:20120905 终止日期:20161209 申请日:20081209

    专利权的终止

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 7/0045 申请日:20081209

    实质审查的生效

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 7/0045 申请日:20081209

    实质审查的生效

  • 2010-12-01

    公开

    公开

  • 2010-12-01

    公开

    公开

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