水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法

摘要

本发明公开了一种水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，具体是以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制生长条件进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。本发明所述方法通过在黄金衬套管中添加特定比例的SiO2粉末来补充Si-O生长基元，达到既能克服熔体法生长晶体时所遇到的晶体易开裂、均匀性及析晶行为难以控制的问题，又可克服水热法生长闪烁晶体硅酸铋时伴有Bi12SiO20杂相的问题，从而获得纯相的大尺寸的Bi4Si3O12体单晶，且所得体单晶表面无开棉无裂，完整性好。