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用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构,该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间,包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层,其中,富Al层形成于SiC衬底之上,特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上,金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。本发明同时公开了一种制作界面过渡层复合结构的方法。利用本发明提出的界面过渡层复合结构,可有效调节接触势垒高度,提高接触层载流子浓度,增加载流子隧穿机率,有效实现P型SiC材料的良好欧姆接触,且本发明公开的界面过渡层复合结构制作方法简单、可重复性高。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/45 申请公布日:20130213 申请日:20120821

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/45 申请日:20120821

    实质审查的生效

  • 2013-02-13

    公开

    公开

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