法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-11
专利实施许可合同备案的变更 IPC(主分类):C09K11/80 合同备案号:2015990000129 变更日:20151019 变更前: 变更后: 申请日:20130228
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2015-05-20
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):C09K11/80 合同备案号:2015990000129 让与人:北京科技大学 受让人:山东盈光高温材料有限公司 发明名称:一种高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制造方法 申请公布日:20130529 授权公告日:20140813 许可种类:独占许可 备案日期:20150325 申请日:20130228
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2014-08-13
授权
授权
2013-06-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/80 申请日:20130228
实质审查的生效
2013-05-29
公开
公开
技术领域
本发明涉及一种LED照明用发光材料的制造方法。
背景技术
LED照明器件具有体积小、寿命长、全固态、无污染、易更换、低能耗等诸 多优点,因此被公认为下一代照明源。在全球能源短缺的大背景下,LED照明的 推广与普及尤其具有战略意义。我国于2003年实施了“国家半导体照明工程”, 在全国范围内大力推广LED照明。欧盟于2012年、我国将于2016年禁售白炽灯, LED照明产业将迎来高速增长。
目前主流LED照明的技术方案为蓝光LED芯片与黄光荧光粉封装而成照明器 件。利用芯片发出的蓝光与荧光粉吸收蓝光发出的黄光混合而成白光。因而,LED 用荧光粉是组成LED照明器件的重要部分。
LED照明用荧光粉,主要是YAG:Ce黄色荧光粉。
YAG:Ce荧光粉的基质是钇铝石榴石(Y3Al5O12),激活剂为三价铈离子。有关 YAG:Ce的发光特性最早报道于上世纪六七十年代,九十年代后日本日亚公司开 发了YAG:Ce涂敷的InGaN照明二极管,实现了白光照明。随后国内外围绕该方 案做了大量研究工作,如专利CN101838536A,向YAG:Ce中加入Sb、Bi以增强 荧光粉的发光强度;美国专利US6409938利用炭还原法制备荧光粉。这些专利对 于YAG:Ce荧光粉的产品质量与合成方案做了改进与提高。
目前,工业化YAG:Ce荧光粉的合成方法为高温固相法,即需在较高温度下 (1600~1700°C)完成YAG晶粒的生长与三价铈离子的还原。长时间的高温工作 状态会减少炉体的使用寿命,同时,得到的产品团聚严重,分散性较差,在封装 过程中易沉降。另外,在YAG:Ce的合成过程中通常混入BaF2作为助熔剂。BaF2毒性较大,对于人体和环境有较明显的危害。对于含BaF2的产品还需增加酸洗 等步骤去除残余的含Ba化合物,工序较复杂,生产成本增加。
发明内容
为了克服上述缺点,本发明提供了高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制 造方法。
本发明所采取的技术方案是:
预处理合成YAG:Ce发光材料所需的原料,以降低合成反应的势垒。对于原 料组分之一的Al2O3,在合成前进行形貌改善,使其作为高性能近球形微单晶模 板参与固相反应;对于原料组分Y2O3和CeO2,在合成前预处理,使Ce以+3价态 进入Y2O3晶格中,得到Y、Ce分散均匀的(Y1-xCex)2O3固溶体。利用上述处理过的 原料合成得到YAG:Ce发光材料。
预处理Al2O3时,添加AlF3作为形貌改善剂,Al2O3与AlF3摩尔量之比为 1:0.001~1:0.1。
预处理Y2O3和CeO2得到固溶体,其表达式为(Y1-xCex)2O3,x=0.005~0.2;使得 激活剂Ce以正三价态分散到Y2O3晶格中,以提高最终产品的发光强度。
本发明所述的高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制造方法如下:
(1)预处理Al2O3混料:称取一定量的Al2O3与AlF3,将原料均匀混合,所 述Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.001~1:0.1;将混合均匀的原料装 入坩埚,1300~1500°C,保温1~4h;
(2)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y1-xCex)2O3,x=0.005~0.2称取一定量的Y2O3、 CeO2,混合均匀;将混合均匀的原料装入坩埚,700~1200°C,还原 气氛下保温1~4h;
(3)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取预处理完的Al2O3与 (Y1-xCex)2O3,均匀混合;
(4)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,1200~1600°C还原2~5h, 反复烧结1-4次;
(5)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过筛、清洗、烘干,得到高性 能近球形微单晶YAG基发光材料。
本发明的有益效果在于:用本发明方法制造的YAG基荧光粉分散性好,粒度 分布均匀,单个颗粒均为具有石榴石型结晶形貌的单晶颗粒,形貌一致性好,且 发光强度高。
附图说明
图1为比较例与部分实施例样品的发射光谱。
图2为(Y1-xCex)2O3固溶体晶格常数与Ce掺杂浓度的关系。
图3为未经处理的氧化铝原料SEM图像。
图4为经预处理后的氧化铝SEM图像。
图5为利用本发明所制备的高性能近球形微单晶YAG发光材料SEM图像。
图6为传统直接烧结法制备的YAG发光材料SEM图像。
具体实施方式
下面结合实施例,进一步说明本发明。
实施例1
YAG发光材料的组成为(Y0.97Ce0.03)3Al5O12
1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;
2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取193.34g氧化钇与9.12g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;
4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与
(Y0.97Ce0.03)2O3202.03g,投入混料器中混合10h;
6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,
1550°C保温4h;
7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。
实施例2
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。
实施例3
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。
实施例4
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。
实施例5
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。
比较例1
1)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇193.34g、氧化 铝150.00g、二氧化铈9.12g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;
2)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下, 1550°C保温4h;
3)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。
实施例6
YAG发光材料的组成为(Y0.98Ce0.02)3Al5O12
1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;
2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取195.33g氧化钇与6.08g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;
4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与
(Y0.98Ce0.02)2O3201.13g,投入混料器中混合10h;
6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,
1550°C保温4h;
7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。
实施例7
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。
实施例8
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。
实施例9
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。
实施例10
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。
比较例2
4)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇195.33g、氧化 铝150.00g、二氧化铈6.08g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;
5)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,
1550°C保温4h;
6)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。
实施例11
YAG发光材料的组成为(Y0.96Ce0.04)3Al5O12
1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;
2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取191.35g氧化钇与12.15g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;
4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;
5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与
(Y0.97Ce0.03)2O3202.94g,投入混料器中混合10h;
6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,
1550°C保温4h;
7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。
实施例12
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。
实施例13
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。
实施例14
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。
实施例15
YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。
比较例3
7)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇191.35g、氧化 铝150.00g、二氧化铈12.15g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;
8)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下, 1550°C保温4h;
9)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。
本发明通过预处理氧化铝原料,得到形貌良好、具有一定晶型的氧化铝颗粒, 然后作为反应模板合成YAG发光材料,得到的荧光粉分散性好,粒度分布均匀, 单个颗粒均为具有石榴石型结晶形貌的单晶颗粒,形貌一致性好。通过还原气氛 下预处理氧化钇、氧化铈混合物,先将四价铈还原为三价铈,并将三价铈固定于 钇铈固溶体的晶格中,然后与氧化铝混合合成YAG发光材料。该方案可以有效地 降低烧成温度,节约能源,延长设备使用寿命。另外,在高温合成步骤中无需添 加BaF2等助熔剂,操作简单,减轻了对人体和环境的毒害。
为了证明本发明的效果,现将比较例1样品在450nm激发下的发射光谱相对 强度规定为100,分别检测其他比较和实施例样品的发光性能,数据列于表1中。
表1发光材料荧光性能比较
由图1可知,利用本发明制备的产品具有典型的YAG:Ce发光特征,发射主 峰位于550nm附近。根据表1中的发射光谱相对积分强度,由本发明方法制备的 YAG发光材料其发光强度有大幅度提高。这是因为本发明提前将Ce离子以三价 的形式固定于(Y1-xCex)2O3固溶体晶格中,合成YAG发光材料时,三价铈离子可以 更多地进入YAG晶格,更好地参与结晶过程。(Y1-xCex)2O3固溶体中Ce的掺杂浓 度可达18%,如图2所示,远大于Ce在YAG中的掺杂浓度(~6%),可以合成不 同铈浓度的YAG发材料。烧成温度为1550°C时即可得到性能优良的YAG发光材 料,提高烧成温度虽然能够进一步改善结晶状况,但会造成物料板结严重,进一 步破碎反而会破坏发光材料颗粒的晶面,造成亮度下降。
图3为未经处理的氧化铝原料SEM图像,图4为氧化铝经预处理后的SEM 图像,可见经预处理的氧化铝已具晶型。图5为利用本发明制备的YAG发光材料 SEM图像,可见YAG颗粒具有高性能近球形微单晶的特征,晶型明显,流动性较 好。图6为常规直接烧结YAG材料的SEM图像,YAG颗粒团聚较严重,没有明显 晶型,流动性较差。综上所述,利用本发明制备的YAG发光材料具有高性能近球 形微单晶的特征,并且发光强度较高,可以生产高质量的LED照明用发光材料。
机译: 近红外机械发光材料,近红外机械发光材料以及制造近红外机械发光材料的方法
机译: 一种用于制造球形,特别是发光球形的方法以及根据该方法制造的方法和用于制造球形,特别是发光球形的设备的设备
机译: 用于制造近球形半导体单晶颗粒的方法和设备以及所产生的球形产物