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一种高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制造方法

摘要

本发明属于LED照明领域,涉及一种LED照明用发光材料的制造方法。通过预处理氧化铝原料,得到形貌良好、具有一定晶型的氧化铝颗粒,然后作为反应模板合成YAG发光材料;通过还原气氛下预处理氧化钇、氧化铈混合物,先将四价铈还原为三价铈,并将三价铈固定于钇铈固溶体的晶格中,然后与氧化铝混合合成YAG发光材料。利用本发明合成得到的YAG基发光材料分散性好,粒度分布均匀,单个颗粒均为具有石榴石型结晶形貌的单晶颗粒,形貌一致性好。同时,本发明可以有效地降低烧成温度,节约能源,延长设备使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN103122248A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201310064558.1

  • 申请日2013-02-28

  • 分类号C09K11/80(20060101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人皋吉甫

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2024-02-19 17:47:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    专利实施许可合同备案的变更 IPC(主分类):C09K11/80 合同备案号:2015990000129 变更日:20151019 变更前: 变更后: 申请日:20130228

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2015-05-20

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):C09K11/80 合同备案号:2015990000129 让与人:北京科技大学 受让人:山东盈光高温材料有限公司 发明名称:一种高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制造方法 申请公布日:20130529 授权公告日:20140813 许可种类:独占许可 备案日期:20150325 申请日:20130228

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2014-08-13

    授权

    授权

  • 2013-06-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/80 申请日:20130228

    实质审查的生效

  • 2013-05-29

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED照明用发光材料的制造方法。

背景技术

LED照明器件具有体积小、寿命长、全固态、无污染、易更换、低能耗等诸 多优点,因此被公认为下一代照明源。在全球能源短缺的大背景下,LED照明的 推广与普及尤其具有战略意义。我国于2003年实施了“国家半导体照明工程”, 在全国范围内大力推广LED照明。欧盟于2012年、我国将于2016年禁售白炽灯, LED照明产业将迎来高速增长。

目前主流LED照明的技术方案为蓝光LED芯片与黄光荧光粉封装而成照明器 件。利用芯片发出的蓝光与荧光粉吸收蓝光发出的黄光混合而成白光。因而,LED 用荧光粉是组成LED照明器件的重要部分。

LED照明用荧光粉,主要是YAG:Ce黄色荧光粉。

YAG:Ce荧光粉的基质是钇铝石榴石(Y3Al5O12),激活剂为三价铈离子。有关 YAG:Ce的发光特性最早报道于上世纪六七十年代,九十年代后日本日亚公司开 发了YAG:Ce涂敷的InGaN照明二极管,实现了白光照明。随后国内外围绕该方 案做了大量研究工作,如专利CN101838536A,向YAG:Ce中加入Sb、Bi以增强 荧光粉的发光强度;美国专利US6409938利用炭还原法制备荧光粉。这些专利对 于YAG:Ce荧光粉的产品质量与合成方案做了改进与提高。

目前,工业化YAG:Ce荧光粉的合成方法为高温固相法,即需在较高温度下 (1600~1700°C)完成YAG晶粒的生长与三价铈离子的还原。长时间的高温工作 状态会减少炉体的使用寿命,同时,得到的产品团聚严重,分散性较差,在封装 过程中易沉降。另外,在YAG:Ce的合成过程中通常混入BaF2作为助熔剂。BaF2毒性较大,对于人体和环境有较明显的危害。对于含BaF2的产品还需增加酸洗 等步骤去除残余的含Ba化合物,工序较复杂,生产成本增加。

发明内容

为了克服上述缺点,本发明提供了高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制 造方法。

本发明所采取的技术方案是:

预处理合成YAG:Ce发光材料所需的原料,以降低合成反应的势垒。对于原 料组分之一的Al2O3,在合成前进行形貌改善,使其作为高性能近球形微单晶模 板参与固相反应;对于原料组分Y2O3和CeO2,在合成前预处理,使Ce以+3价态 进入Y2O3晶格中,得到Y、Ce分散均匀的(Y1-xCex)2O3固溶体。利用上述处理过的 原料合成得到YAG:Ce发光材料。

预处理Al2O3时,添加AlF3作为形貌改善剂,Al2O3与AlF3摩尔量之比为 1:0.001~1:0.1。

预处理Y2O3和CeO2得到固溶体,其表达式为(Y1-xCex)2O3,x=0.005~0.2;使得 激活剂Ce以正三价态分散到Y2O3晶格中,以提高最终产品的发光强度。

本发明所述的高性能近球形微单晶YAG基发光材料的制造方法如下:

(1)预处理Al2O3混料:称取一定量的Al2O3与AlF3,将原料均匀混合,所 述Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.001~1:0.1;将混合均匀的原料装 入坩埚,1300~1500°C,保温1~4h;

(2)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y1-xCex)2O3,x=0.005~0.2称取一定量的Y2O3、 CeO2,混合均匀;将混合均匀的原料装入坩埚,700~1200°C,还原 气氛下保温1~4h;

(3)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取预处理完的Al2O3与 (Y1-xCex)2O3,均匀混合;

(4)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,1200~1600°C还原2~5h, 反复烧结1-4次;

(5)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过筛、清洗、烘干,得到高性 能近球形微单晶YAG基发光材料。

本发明的有益效果在于:用本发明方法制造的YAG基荧光粉分散性好,粒度 分布均匀,单个颗粒均为具有石榴石型结晶形貌的单晶颗粒,形貌一致性好,且 发光强度高。

附图说明

图1为比较例与部分实施例样品的发射光谱。

图2为(Y1-xCex)2O3固溶体晶格常数与Ce掺杂浓度的关系。

图3为未经处理的氧化铝原料SEM图像。

图4为经预处理后的氧化铝SEM图像。

图5为利用本发明所制备的高性能近球形微单晶YAG发光材料SEM图像。

图6为传统直接烧结法制备的YAG发光材料SEM图像。

具体实施方式

下面结合实施例,进一步说明本发明。

实施例1

YAG发光材料的组成为(Y0.97Ce0.03)3Al5O12

1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;

2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取193.34g氧化钇与9.12g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;

4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与

(Y0.97Ce0.03)2O3202.03g,投入混料器中混合10h;

6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,

1550°C保温4h;

7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。

实施例2

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。

实施例3

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。

实施例4

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。

实施例5

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。

比较例1

1)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇193.34g、氧化 铝150.00g、二氧化铈9.12g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;

2)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下, 1550°C保温4h;

3)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。

实施例6

YAG发光材料的组成为(Y0.98Ce0.02)3Al5O12

1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;

2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取195.33g氧化钇与6.08g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;

4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与

(Y0.98Ce0.02)2O3201.13g,投入混料器中混合10h;

6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,

1550°C保温4h;

7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。

实施例7

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。

实施例8

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。

实施例9

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。

实施例10

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。

比较例2

4)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇195.33g、氧化 铝150.00g、二氧化铈6.08g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;

5)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,

1550°C保温4h;

6)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。

实施例11

YAG发光材料的组成为(Y0.96Ce0.04)3Al5O12

1)预处理Al2O3混料:按Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.05称取150.00g 氧化铝与10.15g三水氟化铝,装入混料器中混合10h;

2)高温预处理:将1)中混合均匀的原料装入坩埚,压实,1400°C,常压 空气下保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

3)预处理Y2O3:Ce混料:按照(Y0.97Ce0.03)2O3称取191.35g氧化钇与12.15g 二氧化铈,投入混料器中混合10h;

4)中温预处理:将3)中混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气 氛下,1000°C保温2h。随炉冷却后取出,物料极其松软,粉碎待用;

5)原料混合:按照YAG发光材料的组成,称取经预处理的Al2O3150g与

(Y0.97Ce0.03)2O3202.94g,投入混料器中混合10h;

6)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下,

1550°C保温4h;

7)烧成后处理:将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清 洗3次,然后置于烘箱中200°C烘干2h,得到本发明的产品。

实施例12

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤2)~7)与实施 例1完全相同,区别在于步骤1)中Al2O3与AlF3摩尔量之比为1:0.025,称取的 三水氟化铝质量为5.08g。

实施例13

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)和步骤3)~7) 与实施例1完全相同,区别在于步骤2)中预处理温度为1300°C。

实施例14

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~3)和步骤 5)~7)与实施例1完全相同,区别在于步骤4)中预处理温度为900°C。

实施例15

YAG荧光粉的组成、原料种类与实施例1完全相同,反应步骤1)~5)和步骤 7)与实施例1完全相同,区别在于步骤7中烧结温度为1600°C。

比较例3

7)YAG荧光粉的组成实施例1完全相同,直接称取氧化钇191.35g、氧化 铝150.00g、二氧化铈12.15g和三水氟化铝10.15g,装入混料器中混合10h;

8)高温烧成:将混合均匀的原料装入坩埚,在H2:N2=1:9的还原气氛下, 1550°C保温4h;

9)将高温烧成的物料破碎、过200目筛、用80~90°C热水清洗3次,然后 置于烘箱中200°C烘干2h,得到产品。

本发明通过预处理氧化铝原料,得到形貌良好、具有一定晶型的氧化铝颗粒, 然后作为反应模板合成YAG发光材料,得到的荧光粉分散性好,粒度分布均匀, 单个颗粒均为具有石榴石型结晶形貌的单晶颗粒,形貌一致性好。通过还原气氛 下预处理氧化钇、氧化铈混合物,先将四价铈还原为三价铈,并将三价铈固定于 钇铈固溶体的晶格中,然后与氧化铝混合合成YAG发光材料。该方案可以有效地 降低烧成温度,节约能源,延长设备使用寿命。另外,在高温合成步骤中无需添 加BaF2等助熔剂,操作简单,减轻了对人体和环境的毒害。

为了证明本发明的效果,现将比较例1样品在450nm激发下的发射光谱相对 强度规定为100,分别检测其他比较和实施例样品的发光性能,数据列于表1中。

表1发光材料荧光性能比较

由图1可知,利用本发明制备的产品具有典型的YAG:Ce发光特征,发射主 峰位于550nm附近。根据表1中的发射光谱相对积分强度,由本发明方法制备的 YAG发光材料其发光强度有大幅度提高。这是因为本发明提前将Ce离子以三价 的形式固定于(Y1-xCex)2O3固溶体晶格中,合成YAG发光材料时,三价铈离子可以 更多地进入YAG晶格,更好地参与结晶过程。(Y1-xCex)2O3固溶体中Ce的掺杂浓 度可达18%,如图2所示,远大于Ce在YAG中的掺杂浓度(~6%),可以合成不 同铈浓度的YAG发材料。烧成温度为1550°C时即可得到性能优良的YAG发光材 料,提高烧成温度虽然能够进一步改善结晶状况,但会造成物料板结严重,进一 步破碎反而会破坏发光材料颗粒的晶面,造成亮度下降。

图3为未经处理的氧化铝原料SEM图像,图4为氧化铝经预处理后的SEM 图像,可见经预处理的氧化铝已具晶型。图5为利用本发明制备的YAG发光材料 SEM图像,可见YAG颗粒具有高性能近球形微单晶的特征,晶型明显,流动性较 好。图6为常规直接烧结YAG材料的SEM图像,YAG颗粒团聚较严重,没有明显 晶型,流动性较差。综上所述,利用本发明制备的YAG发光材料具有高性能近球 形微单晶的特征,并且发光强度较高,可以生产高质量的LED照明用发光材料。

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