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集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法

摘要

一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法,其中每一单元包括如下步骤:步骤1:取一有源砷化镓外延片,该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层;步骤2:在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构;步骤3:在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极;步骤4:在耦合波导结构的一侧,制备一光子晶体相位调制器;步骤5:在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧,制备一传输波导,该传输波导为一楔形;步骤6:在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔,形成空气孔阵列,完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102299483B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201110148041.1

  • 申请日2011-06-02

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-15

    授权

    授权

  • 2012-02-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/323 申请日:20110602

    实质审查的生效

  • 2011-12-28

    公开

    公开

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