首页> 中国专利> 高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法

高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高强度透明高导电性自支持碳纳米管超薄膜及其制备方法。该超薄膜主要由碳纳米管交织的网络组成,碳纳米管用量为0.01-0.7mg/cm2,膜厚度在10nm以上,透光率50-97%,电导率30-500Ω/□,拉伸强度可高达2000MPa,并具有较大面积。该超薄膜是由单壁和/或双壁和/或多壁碳纳米管通过过滤、印刷、涂覆等方法成膜再从膜上剥离形成自支持薄膜而成。本发明的自支持碳纳米管超薄膜具有超高的力学性能、优异的电学和光学性能,可在光电技术领域广泛应用,同时,其工艺简便,易于操作,可控性好,安全环保,且可利用市售的碳纳米管作为原料,来源广泛,成本低廉,适于大批量、大面积制备的工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN102110489B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010604342.6

  • 发明设计人 靳健;陈新江;石准;

    申请日2010-12-24

  • 分类号H01B5/00(20060101);H01B1/04(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 5/00 授权公告日:20120808 终止日期:20171224 申请日:20101224

    专利权的终止

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B5/00 申请日:20101224

    实质审查的生效

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/00 申请日:20101224

    实质审查的生效

  • 2011-06-29

    公开

    公开

  • 2011-06-29

    公开

    公开

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