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磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源

摘要

一种磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源,磁增强法拉第屏蔽结构包括内层和套设于内层外侧的外层,内层和外层之间形成容置空间,容置空间内设有磁性件。磁增强法拉第屏蔽结构可以通过内层和外层共同形成的屏蔽层减弱感应耦合线圈电压导致的介质窗溅射和化学腐蚀,并可以通过磁性件补偿屏蔽层导致的感应耦合线圈功率耦合效率降低。

著录项

  • 公开/公告号CN110536530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京北方华创微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN201811102594.1

  • 发明设计人 李兴存;

    申请日2018-09-20

  • 分类号H05H1/10(20060101);H05H1/24(20060101);

  • 代理机构11218 北京思创毕升专利事务所;

  • 代理人孙向民;廉莉莉

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

  • 入库时间 2024-02-19 16:54:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/10 申请日:20180920

    实质审查的生效

  • 2019-12-03

    公开

    公开

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