基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底之上形成过渡层；在过渡层之上形成金属走线层，并在金属走线层中填充层间介质以形成层间介质层；在层间介质层之上形成连接线，其中，连接线的至少一部分与金属走线层相连；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以分别形成源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；在栅极之上形成栅极介质层；以及在源极、漏极、和栅极的栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。