一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管

摘要

本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。