公开/公告号CN110592659A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-20
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨元雅新材料科技有限公司;
申请/专利号CN201911000067.4
申请日2019-10-21
分类号C30B11/00(20060101);C30B29/12(20060101);
代理机构23210 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙);
代理人王艳萍
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区(深圳龙岗)科技创新产业园13栋4楼401-97室
入库时间 2024-02-19 16:11:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20191021
实质审查的生效
2019-12-20
公开
公开
机译: 制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译: 硅晶体生长坩埚,用于硅晶体生长的坩埚制造方法以及硅晶体生长方法
机译: 可用于生产半导体器件的碳化硅体积单晶的生产包括例如在坩埚的晶体生长区域中产生碳化硅生长气相,并生长碳化硅体积单晶