忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM

摘要

本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM，该忆阻器的制造方法包括：沉积所述忆阻器的下电极；在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层；在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极。