一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种低密度变化相变材料，其为第一相变材料层和第二相变材料层循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层为C‑GeSb，所述第二相变材料层为GeTe，循环交替叠合层数至少有三层。相变材料C‑GeSb中碳掺杂的比例为可调整的，该材料具有非常低的相变密度变化，在适当的碳掺杂比例下几乎不发生密度变化，因此不会因为多次相变而出现孔洞，进而导致器件失效。非晶态GeTe层的晶化温度较高，因此适当厚度的GeTe层的加入可以在可控范围内提高相变材料的晶化温度，提高器件整体的稳定性，可同时满足存储器对高速擦写和电阻窗口的需求。