具有局限单元的自对准3D存储器和制造集成电路的方法

摘要

在交叉点阵列中的多个存储单元，在交叉点阵列中交叉点中的存储单元叠层包括串联的一开关元件、一导电势垒层、及一存储单元，及具有在对应交叉点的交叉点面积中对准的多个侧边。叠层中的存储单元包括多个局限间隔物，位于交叉点面积中。这些局限间隔物包括多个外侧表面，位在叠层的一对相反侧边上。再者，可编程电阻存储材料的一主体局限于这些间隔物的多个内侧表面之间。