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具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池制备方法,属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明的技术方案要点为:通过磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底上生长出结晶取向可控的空穴传输层薄膜,然后在空穴传输层上依次旋涂钙钛矿吸光层、电子传输层,最后蒸镀电极,制得基于单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池。通过调控空穴传输层薄膜的晶体取向,进而可以实现对空穴传输层薄膜表面原子、能带结构排列、配位、表面能、结构缺陷的调控。本发明基于单一结晶取向的空穴传输层薄膜制备成钙钛矿太阳能电池,不仅提高了空穴传输层输运层的导电性、载流子迁移率和电荷提取能力,而且改善了钙钛矿薄膜的形貌,进而提升了钙钛矿太阳能电池的光伏性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110484880A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201910708202.4

  • 发明设计人 张跃;时明月;康卓;司浩楠;

    申请日2019-08-01

  • 分类号

  • 代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司;

  • 代理人张仲波

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2024-02-19 15:39:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20190801

    实质审查的生效

  • 2019-11-22

    公开

    公开

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