公开/公告号CN110416072A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201910694827.X
发明设计人 邱裕明;
申请日2019-07-30
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人栾美洁
地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2024-02-19 15:35:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20190730
实质审查的生效
2019-11-05
公开
公开
机译: 通过双离子注入工艺在半导体衬底中制成的具有改善的击穿特性的电阻及其制造方法
机译: (粉末状或颗粒状的新型低尘阴离子表面活性剂浓缩物,呈粉末状或颗粒状,在水性介质中的溶解度得到改善),在水性介质中具有改善的溶解度。
机译: 离子注入工艺改善终点检测的方法和装置