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蚀刻剂组合物、蚀刻绝缘膜的方法、制造半导体器件的方法和硅烷化合物

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摘要

一种蚀刻剂组合物，其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基，L为直接键或C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。

公开/公告号CN110527511A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-03

原文格式PDF
申请/专利权人 SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司;
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申请/专利号CN201910422918.8
发明设计人金喆禹;沈由那;李光国;金荣汎;赵珍耿;
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申请日2019-05-21
分类号C09K13/06(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/311(20060101);C07F7/18(20060101);C07F9/6596(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人罗达;安玉
地址韩国首尔
入库时间 2024-02-19 15:30:30

1. 蚀刻剂组合物、蚀刻绝缘膜的方法、制造半导体器件的方法和硅烷化合物 [P] . 中国专利： CN110527511A . 2019-12-03
2. 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN112442372A . 2021-03-05
3. ETCHANT COMPOSITION, METHOD OF ETCHING INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILANE COMPOUND [P] . 美国专利： US2019359887A1 . 2019-11-28

机译：蚀刻剂组成，蚀刻绝缘膜的方法，制造半导体器件的方法以及硅烷化合物
4. ETCHANT COMPOSITION, METHOD OF ETCHING INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILANE COMPOUND [P] . 日本专利： JP2019204954A . 2019-11-28

机译：蚀刻剂组成，蚀刻绝缘膜的方法，制造半导体器件的方法以及硅烷化合物
5. Composition for etching, method for etching insulator and method for manufacturing semiconductor device, and novel compounds [P] . US11066601B2 . 2021-07-20

机译：用于蚀刻的组合物，用于蚀刻绝缘体的方法和制造半导体器件的方法，以及新化合物