用于阈值电压调整的方法和由此形成的结构

摘要

总体地，本发明提供了涉及调整晶体管器件中的阈值电压和由此形成的晶体管器件的示例性实施例。描述了实现用于调整阈值电压的各种机制的各个实例。在示例性方法中，在衬底的器件区域中的有源区上方沉积栅极介电层。在器件区域中的栅极介电层上方沉积偶极层。将偶极掺杂物质从偶极层扩散至器件区域中的栅极介电层内。本发明的实施例涉及用于阈值电压调整的方法和由此形成的结构。