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一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法

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摘要

本发明所述提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法，是通过射频磁控溅射法在电介质薄膜与金属电极之间制备一层纳米级厚度的氧化物绝缘层，形成金属电极‑氧化物绝缘层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件，或者形成金属电极‑氧化物绝缘层‑LaNiO

1. 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 [P] . 中国专利： CN110349750B . 2021.03.19
2. 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 [P] . 中国专利： CN110349750A . 2019-10-18
3. METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF IMPROVING THE QUALITY OF A THIN FILM, A METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE, A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND A RECORDING MEDIUM [P] . 韩国专利： KR20130108181A . 2013-10-02

机译：制造能够提高薄膜质量的半导体器件的方法，一种处理基质的方法，一种基质处理设备以及一种记录介质
4. Dielectric thin film device, method of manufacturing a dielectric thin film element and anti-fuse element [P] . 日本专利： JPWO2012036017A1 . 2014-02-03

机译：电介质薄膜器件，电介质薄膜元件的制造方法和反熔丝元件
5. Dielectric thin film, thin film dielectric device and manufacturing method thereof [P] . 日本专利： JP4682769B2 . 2011-05-11

机译：电介质薄膜，薄膜电介质器件及其制造方法