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一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构

摘要

本发明公开了一种高灵敏度的MEMS触觉传感器结构。本发明包括电容感应单元、支撑梁、压阻感应单元和后空腔,所述的电容感应单元由上下两片嵌入金属的可变形电极膜组成,其中位于上部的可变形电极膜的下方还设置有内凸起;所述支撑梁一端连接在电容感应单元的下部的可变形电极膜,另一端连接压阻感应单元,由此连通两种感应单元;所述的压阻感应单元由四对双层压阻梁组成,所述后空腔由硅衬底蚀刻凹坑形成,用于给压阻感应单元形变的空间。本发明通过改变感应单元结构后,在同样的负载下,响应变化更明显,传感器更灵敏,并且依然实现了两种感测单元的集成,扩大了传感器的感测范围。

著录项

  • 公开/公告号CN110411615A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201910583731.6

  • 发明设计人 董林玺;刘沙沙;

    申请日2019-07-01

  • 分类号G01L1/14(20060101);

  • 代理机构33246 浙江千克知识产权代理有限公司;

  • 代理人周希良

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2024-02-19 14:53:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01L1/14 申请日:20190701

    实质审查的生效

  • 2019-11-05

    公开

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