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交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法

摘要

本发明属于无损检测相关技术领域,其公开了一种交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法,该方法包括以下步骤:(1)提供实验平台,并分别确定所述实验平台中的激励传感器的最佳激励偏置磁场强度及接收传感器的最佳接收偏置磁场强度;(2)基于最佳激励偏置磁场强度、最佳接收偏置磁场强度及固定覆盖率,分别确定激励传感器的环形线圈的最佳线径及接收传感器的环形线圈的最佳线径;(3)分别基于得到的最佳线径及磁场强度计算公式计算得到激励传感器的环形线圈的设计匝数及接收传感器的环形线圈的设计匝数,由此完成结构参数的优化,所述结构参数包括环形线圈的线径及匝数。本发明提高了传感器的换能效率,适用性较强。

著录项

  • 公开/公告号CN110376283A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201910691839.7

  • 发明设计人 徐江;李勇;胡超越;

    申请日2019-07-30

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人孔娜

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 14:44:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N29/04 申请日:20190730

    实质审查的生效

  • 2019-10-25

    公开

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