公开/公告号CN110265076A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;
申请/专利号CN201910288732.8
申请日2015-09-24
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 法国鲁塞
入库时间 2024-02-19 14:44:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/04 申请日:20150924
实质审查的生效
2019-09-20
公开
公开
机译: 具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅的存储单元
机译: 具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅的存储单元
机译: 单独地包括可编程电荷存储晶体管的垂直串,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构以及以单独的单独形成垂直存储器单元的垂直存储器单元的方法,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构