一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法

摘要

本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法，属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂，而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境，在酸性环境中，固体MnO2表现出氧化性，与硅片接触可以将硅氧化，生成的SiO2被HF酸刻蚀，露出新的硅表面与固体MnO2接触，继续被氧化，随着反应进行，在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构，固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀，还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备，不需要使用贵金属，也不需要使用硝酸，即可得到反射率低的绒面。