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一种在基板上制备二氧化硅膜的方法及装置、阵列基板

摘要

本申请提供一种在基板上制备二氧化硅膜的方法及装置、阵列基板,将经过羟基化修饰的基板放置于密闭腔体内,并向密闭腔体通入含硅前体气体以及水蒸气,利用正硅酸四乙酯/正硅酸甲酯在有水条件下能够发生水解反应,生成硅醇,硅醇再与羟基化修饰的基板进行缩合反应生成二氧化硅材料附着在基板上,从而在基板上形成二氧化硅膜。该水解缩合反应可在密闭腔体内循环的持续进行,从而降低制备二氧化硅膜的成本和能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN110265288A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201910486762.X

  • 发明设计人 彭钊;

    申请日2019-06-05

  • 分类号H01L21/02(20060101);C01B33/12(20060101);

  • 代理机构44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人黄威

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2024-02-19 14:39:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20190605

    实质审查的生效

  • 2019-09-20

    公开

    公开

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