公开/公告号CN110265288A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;
申请/专利号CN201910486762.X
发明设计人 彭钊;
申请日2019-06-05
分类号H01L21/02(20060101);C01B33/12(20060101);
代理机构44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙);
代理人黄威
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
入库时间 2024-02-19 14:39:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20190605
实质审查的生效
2019-09-20
公开
公开
机译: 在硅基板上形成二氧化硅膜的方法,在半导体基板上形成氧化膜的方法以及半导体装置的制造方法
机译: 在硅基板上形成二氧化硅膜的方法,在半导体基板上形成氧化膜的方法以及半导体装置的制造方法
机译: 阵列基板(10),一种制造该基板的方法以及一个显示面板(100)。阵列基板(10)包括:透明基板(1),具有第一侧面(11)和第二侧面(12)相对于第一侧面(11);以及位于透明基质(1)的第一侧面(1)上的光反射结构(2)。透明基材(1)的第二侧表面(12)设有粗糙区域(13),并且粗糙区域(13)与透明基材(1)上的光反射结构(2)正交投影重叠。 )。