P型多晶硅背钝化电池光衰与转换效率改善方法

摘要

本发明提供一种P型多晶硅背钝化电池光衰与转换效率改善方法，包括：通过电注入的方式，使得硅电池片正面氮化硅膜中氢原子转变为H‑离子，渗透入硅电池片的多晶硅内。进一步地，电注入时，硅电池片的正面接面型负电极，背面接面型正电极。电注入时的温度220℃～250℃。电注入的时间300S～1500S。电注入的电流10A～18A。本发明的优点：1）能够降低P型多晶硅背钝化电池光照下产生的光致衰减和黑暗条件下向电池施加正向偏压时产生的光致衰减。2）使得少子寿命能够被恢复，提升了少子寿命；提升了P型多晶硅背钝化电池的转换效率。