一种垂直结构的MgZnO/ZnO日盲探测器

摘要

本发明涉及日盲探测器的相关技术领域，更具体地，本发明提供了一种ZnO单晶作导电衬底的垂直型MgZnO/ZnO异质结日盲探测器及其制备方法。本发明的第一方面提供一种六方相日盲带隙的MgZnO薄膜，制备原料为MgxZnyO，x+y＝1,0.25≤x≤0.45，0.75≤y≤0.55。