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太阳盲MgZnO光电探测器

     

摘要

利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构.在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm.

著录项

  • 来源
    《发光学报》|2008年第4期|743-746|共4页
  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O742.8;
  • 关键词

    MgZnO合金薄膜; 太阳盲光电探测器; 射频磁控溅射;

  • 入库时间 2022-08-18 01:48:34

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