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公开/公告号CN110344027A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 环球展览公司;
申请/专利号CN201910260522.8
发明设计人 M·哈克;W·E·奎因;G·麦格劳;W·T·麦韦瑟;J·J·布朗;
申请日2019-04-02
分类号C23C16/455(20060101);C23C16/513(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人高敏
地址 美国新泽西州
入库时间 2024-02-19 14:12:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-18
公开
机译: 具有方法和系统的结构以及用于确定膜的激光加工区域的膜面积,以提供衬底上的区域和边缘区域上的膜的基本均匀性
机译: 用于对衬底的表面进行结构化的选择性金属化的方法包括:将衬底预热至低于预定金属的沉积温度的温度,并将金属沉积在预定区域中
机译: 在衬底上实现纳米物体的有组织网络的方法,包括将包含在膜上的膜孔中的材料沉积在衬底上以在衬底上形成纳米物体的有组织的网络。
机译:外延YBCO膜在Al2O3 / CeO2衬底上的选择性沉积和可用于稳定微桥构图的氧化钛掩模
机译:使用旋转衬底支架装置在10×10 mm〜2的厚度上合成和表征NCD膜并在2英寸的晶片上沉积
机译:使用低能量密集等离子体聚焦装置在Si(100)衬底上沉积氧化铝膜
机译:用于快速和区域选择性多层膜制造和刚性聚合物的对准的动态层沉积方法
机译:在硅和碳衬底上化学气相沉积碳化钨膜。
机译:通过沉积在Mo(110)衬底上生长的金纳米粒子上的金纳米粒子上的一氧化碳氧化:电荷隧穿通过氧化膜的效果
机译:用于SOFC应用的多孔NiO-YSZ衬底上稠密电泳沉积的YSZ膜的共烧结
机译:沉积在硅衬底上的钛镍膜的结构和电学特性