一种电子芯片40-80度用控氧型耐管道腐蚀液态金属及其工艺

摘要

本发明公开了一种电子芯片40‑80度用控氧型耐管道腐蚀液态金属及其工艺。按重量百分比计,其中合金组成为Hf:0.2‑0.5wt.%,Co:0.4‑1.0wt.%,Bi:4.0‑8.0wt.%,Zn:2.0‑5.0wt.%,In:5.0‑10.0wt.%,Cd:1.0‑2.0wt.%,Pb:5.0‑8.0wt.%,余量为镓；其中控制氧活度的氧化物组成为PbO:30.0‑40.0wt.%,CuO:2.0‑4.0wt.%,AgO:10.0‑20.0wt.%,CdO:4.0‑6.0wt.%,NiO:5.0‑8.0wt.%,余量为Fe2O3。通过在管道中封装液态金属并采用控氧模块进行控制氧活度，可有效地在不锈钢管道的表面生成稳定致密的氧化膜来抑制液态金属对管道材料的腐蚀。特点是工艺过程简单，实施的费用低，高效散热和增加散热构件使用寿命效果明显。