一种P型多晶硅选择性发射极双面电池的制备方法

摘要

本发明一种P型多晶硅选择性发射极双面电池的制备方法，采用以下步骤：(1)将硅片依次经过碱溶液及H2O2溶液处理，然后再进过AgNO3溶液处理并形成绒面；(2)对硅片正面高温磷扩散形成浅PN结；(3)以磷源进行激光掺杂处理；(4)利用HF溶液去除磷硅玻璃PSG层，进行边绝缘和背面抛光；(5)经清洗处理过的硅片进行高温退火；(6)对硅片背面沉积一层三氧化二铝Al2O3；(7)将硅片进行退火；(8)采用等离子体增强化学气相沉积法在硅片表面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(9)使用激光器在硅片背表面打线，得到类点型槽；(10)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag浆料，再进行高温烧结，这样确保电池片的双面都形成良好的接触。