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处理SrTiO3衬底的方法以及制备FeSe超导体的方法

摘要

本发明涉及一种处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导体的方法。该处理SrTiO3衬底的方法包括:将一SrTiO3衬底置于一真空室中,该真空室的压强低于10‑9mbar,该SrTiO3衬底表面为非原子级平整;以及将该SrTiO3衬底加热至900℃以上,对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。该制备FeSe超导体的方法包括:将一SrTiO3衬底置于一真空室中,该真空室的压强低于10‑9mbar,该SrTiO3衬底表面为非原子级平整;将该SrTiO3衬底加热至900℃以上,对该SrTiO3衬底退火30分钟以上;将该真空室温度降到650℃~800℃,然后向该真空室通入含氧气氛,使真空室压强保持在1×10‑6mbar~1×10‑4mbar,对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟~30分钟;以及在该补氧处理后的SrTiO3衬底表面生长FeSe高温超导薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN110246957A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910518116.7

  • 发明设计人 王立莉;丁翠;刘充;薛其坤;

    申请日2019-06-14

  • 分类号H01L39/24(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构44311 深圳市鼎言知识产权代理有限公司;

  • 代理人张利杰

  • 地址 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱

  • 入库时间 2023-06-18 07:21:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    公开

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