一种为制备二维材料工业化生产表面单晶化铜基底的方法

摘要

本发明公开了一种为制备二维材料工业化生产表面单晶化铜基底的方法，包括以下步骤：(1)将多晶铜于空气中230℃加热10min以上；(2)将经步骤(1)处理后的铜箔放入化学气相沉积反应炉内，通入氩气，使得整个腔体维持在大气压状态并完全充满氩气，开始加热，25min从室温升到850℃，15min从850℃升到1050℃，并在1050℃、大气压下的氩气环境中退火；(3)停止加热，将化学气相沉积反应炉温度降至700℃，随后降至室温。本发明制备了表面晶向一致的铜基底，制备方法简单，工艺流程简单，成本低，适于工业化生产，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题。