多孔硅基底的制备方法及多孔硅基底

摘要

本发明涉及MEMS技术中多孔硅基底材料领域，尤其涉及一种多孔硅基底的制备方法及多孔硅基底。所述多孔硅基底的制备方法，包括如下步骤：提供一硅衬底；对所述硅衬底进行分层电化学腐蚀，以形成沿所述硅衬底的纵向排列的多层多孔性结构，且表层多孔性结构的孔隙率小于或等于其它任一层多孔性结构的孔隙率。本发明使得所述基底既能在整体上保持高的孔隙率，又能具有良好的结构稳定性，使得多孔硅基底在保证良好绝热性能的基础上实现了沉积层的良好覆盖。