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二维磁性半导体材料MnIn2Se4的制备方法及在光探测器和场效应晶体管的应用

摘要

一种锰铟硒晶体、其制备方法、二维磁性半导体材料、光探测器及场效应晶体管,该锰铟硒晶体的制备方法,包括将锰粉、铟粒、硒粉混合,得到混合物;将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长,得到锰铟硒晶体。本发明的二维磁性半导体材料具有对于可见光的优异光响应性质,同时在温度为2K时表现出铁磁性;锰铟硒晶体采用高温管式炉制备,晶体结晶质量高,可实现大规模制备,对环境无污染。

著录项

  • 公开/公告号CN110257916A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201910519508.5

  • 申请日2019-06-14

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B25/00(20060101);H01L29/24(20060101);H01L31/032(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人喻颖

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-18 07:14:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/46 申请日:20190614

    实质审查的生效

  • 2019-09-20

    公开

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