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高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I-型硅基笼合物的方法

摘要

本发明提供高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I‑型硅基笼合物的方法,其特征在于:包括原料混合、压块合成、酸洗及烘干步骤;所述的压块合成:反应压力为1GPa‑3GPa,反应温度为700°C‑825°C。本发明不需要惰性气体保护,不需要要采用纯元素合成,反应条件易于达到,大大降低了反应难度,缩短反应时间。

著录项

  • 公开/公告号CN110204340A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京智芯微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201910446144.2

  • 申请日2019-05-27

  • 分类号

  • 代理机构济南舜源专利事务所有限公司;

  • 代理人吕翠莲

  • 地址 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼

  • 入库时间 2024-02-19 13:03:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/58 申请日:20190527

    实质审查的生效

  • 2019-09-06

    公开

    公开

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