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硅烷化镉碲量子点分子印迹聚合物的制备及应用

摘要

本发明公开了一种硅烷化镉碲量子点分子印迹聚合物的制备,是以巯基乙酸(TGA)修饰的水相CdTe QDs为荧光载体,通过对其表面进行烷基化修饰,再以对乙酰氨基酚为模板分子,3‑氨丙基三乙氧基硅烷为功能单体,正硅酸乙酯为交联剂,氨水为催化剂,成功合成了在量子点外层包覆分子印迹的聚合物。选择性吸附实验结果表明,本发明制备的CdTe@MIPs QDs中具有目标分子AP的空穴位点,能够从复杂基质中选择性地识别AP,不易受其它结构类似物的干扰,表明该方法对AP分子具有良好的分子识别性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110218325A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北师范大学;

    申请/专利号CN201910475192.4

  • 发明设计人 周敏;陈琪琪;

    申请日2019-06-03

  • 分类号C08G77/26(20060101);C08K9/06(20060101);C08K9/04(20060101);C08K3/30(20060101);C08J9/26(20060101);B01J20/30(20060101);B01J20/26(20060101);G01N21/64(20060101);

  • 代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张英荷

  • 地址 730070 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号

  • 入库时间 2024-02-19 12:59:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G77/26 申请日:20190603

    实质审查的生效

  • 2019-09-10

    公开

    公开

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